Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 933 ofert spośród 4 820 908 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 150A; Idm: 961A; 326W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: THT Obudowa: TO220AB;SOT78 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 326W Polaryzacj...
Nexperia
PSMN2R6-60PSQ
od PLN 7,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 19,6A; Idm: 200A; 48W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 19,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 48W Polaryzacja...
NTE Electronics
NTE2941
od PLN 14,61*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 60 A TO-252 100 V SMD 0.012 Ω (1 Oferta) 
Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET, zwanych również tranzystorem MOSFET, oznacza „tranzystory polowe z tlenkiem metalu półprzewodników”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi st...
Infineon
IPD60N10S4L12ATMA1
od PLN 3,03*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB057N06NATMA1
od PLN 2,08*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 60 A HiP247 1200 V (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = HiP247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3
ST Microelectronics
SCTW60N120G2
od PLN 99,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 16A; 11,5W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 11,5W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF2618L
od PLN 4,25*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 60 A HSOP8 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
ROHM Semiconductor
RS1P600BHTB1
od PLN 3,892*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 602 A PowerPAK 8 x 8L 60 V SMD 0.0018 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 602 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = N-Channel 60 V Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-ź...
Vishay
SQJQ160E-T1_GE3
od PLN 6,87*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 48A; 100W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 100W Polaryzacja: unipola...
onsemi
NDP6060L
od PLN 8,36*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 62 A TO-247AD 700 V 0.052 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 62 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Vishay
SQW61N65EF-GE3
od PLN 37,565*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 60 A HSOP8 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
RS6P060BHTB1
od PLN 5,281*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 60 A HSOP8S 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = HSOP8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
RS6R060BHTB1
od PLN 5,866*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 2,24A; Idm: 11,2A; 2,1W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2,24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,1W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQT13N06LTF
od PLN 1,18*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 61 A D2PAK (TO-263) 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 61 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na ...
Infineon
IPB60R045P7ATMA1
od PLN 16,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: DPAK;TO252 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 136W Polaryzacja: uni...
Vishay
SUD50N06-09L-E3
od PLN 4,21*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   931   932   933   934   935   936   937   938   939   940   941   ..   1529   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.