Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 033 ofert spośród 4 838 883 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 16A; 11,5W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 11,5W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF2618L
od PLN 4,14*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 62 A TO-247AD 700 V 0.052 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 62 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Vishay
SQW61N65EF-GE3
od PLN 37,405*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 60 A HSOP8S 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = HSOP8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
RS6R060BHTB1
od PLN 9,385*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 60 A HiP247 1200 V (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = HiP247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3
ST Microelectronics
SCTW60N120G2
od PLN 99,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: THT Obudowa: TO220AB;SOT78 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,94mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 263W Polaryzac...
Nexperia
PSMN3R9-60PSQ
od PLN 7,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 135mA; Idm: 855A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SC70;SOT323 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 135mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opa...
Nexperia
NX138BKWX
od PLN 0,151*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 60 A PG-TDSON 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IAUC60N04S6L039ATMA1
od PLN 10,711*
za 5 szt.
 
 paczka
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 19,6A; Idm: 200A; 48W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 19,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 48W Polaryzacja...
NTE Electronics
NTE2941
od PLN 14,15*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 60 A HSOP8 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
RS6P060BHTB1
od PLN 5,261*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6,7 A ThinPAK 5 x 6 700 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = ThinPAK 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na ...
Infineon
IPLK70R750P7ATMA1
od PLN 2,159*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 63 A TDSON 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 63 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
Infineon
ISC045N03L5SATMA1
od PLN 0,705*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 14,5A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 14,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Po...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4268
od PLN 1,28*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 60 A PowerDI3333-8 30 V SMD 0.6 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja...
Diodes
DMT35M4LFVW-7
od PLN 1,332*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD60N10S412ATMA1
od PLN 2,919*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 150A; Idm: 1002A; 349W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: THT Obudowa: TO220AB;SOT78 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 349W Polaryzacj...
Nexperia
PSMN2R5-60PLQ
od PLN 8,37*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   931   932   933   934   935   936   937   938   939   940   941   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.