![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOTF2618L |
od PLN 4,14* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 62 A TO-247AD 700 V 0.052 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 62 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0... |
|
od PLN 37,405* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 60 A HSOP8S 150 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = HSOP8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
ROHM Semiconductor RS6R060BHTB1 |
od PLN 9,385* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 60 A HiP247 1200 V (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = HiP247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics SCTW60N120G2 |
od PLN 99,14* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 7,21* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,151* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 60 A PG-TDSON 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
Infineon IAUC60N04S6L039ATMA1 |
od PLN 10,711* za 5 szt. |
|
|
|
|
od PLN 14,15* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 60 A HSOP8 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
ROHM Semiconductor RS6P060BHTB1 |
od PLN 5,261* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 6,7 A ThinPAK 5 x 6 700 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = ThinPAK 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na ... |
Infineon IPLK70R750P7ATMA1 |
od PLN 2,159* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 63 A TDSON 30 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 63 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L... |
Infineon ISC045N03L5SATMA1 |
od PLN 0,705* za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 14,5A; 2W; SO8 (1 Oferta) Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 14,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Po... |
Alpha & Omega Semiconductor AO4268 |
od PLN 1,28* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 60 A PowerDI3333-8 30 V SMD 0.6 O. (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja... |
|
od PLN 1,332* za szt. |
|
|
|
Infineon IPD60N10S412ATMA1 |
od PLN 2,919* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,37* za szt. |
|
|