Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 033 ofert spośród 4 838 883 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzac...
Texas Instruments
CSD18542KTTT
od PLN 6,78*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF60B217
od PLN 2,012*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 66 A PowerPAK SO-8L 40 V SMD 0.0068 Ω (1 Oferta) 
Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET posiada pakiet typu PowerPAK SO-8L o prądzie spustowym 66 A.Tranzystor MOSFET TrenchFET Gen IV Kwalifikacja AEC-Q101 100 % badanych RG i UIS Prz...
Vishay
SQJ150EP-T1_GE3
od PLN 1,175*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 62 A TO-247-4 650 V 0.04 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 62 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źró...
onsemi
NTH4LN040N65S3H
od PLN 40,099*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 62 A D2Pak, TO-262 200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 62 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = D2Pak, TO-262 Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRFS4227TRLPBF
od PLN 10,15*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 60 A TO-247 1200 V Pojedynczy 330 W 52 mΩ (1 Oferta) 
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSF. Wolfspeed Z-FET™, C2M™ i C3M™ Silicon Carbide MOSFET. Seria tranzystorów MOSFET SiC drugiej generacji firmy Cree z działu zasilania firmy Wolfspeed, które zape...
Wolfspeed
C2M0040120D
od PLN 172,081*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 25A; 15,5W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 15,...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF2610L
od PLN 1,98*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 66 A SuperSO8 5 x 6 80 V SMD 0.0073 O, 0.0095 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 66 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Infineon
ISC0602NLSATMA1
od PLN 12,42*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 210A; 300W; TO262 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO262 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 210A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tub...
Infineon
IRFSL3206PBF
od PLN 4,18*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 62 A TO-252 40 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 62 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TO-252
Diodes
DMTH47M2SK3-13
od PLN 1,332*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 62 A PQFN 3 x 3 100 V SMD 0.0135 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 62 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1
od PLN 4,386*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 200mA; Idm: 0,5A; 0,4W; TO92 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,4W Polaryzacja: unipolarny ...
onsemi
2N7000-D75Z
od PLN 0,49*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 60 A TO-247 600 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IPW60R045CPAFKSA1
od PLN 104,68*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 66 A TO-247 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 66 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny
onsemi
NTHL045N065SC1
od PLN 30,649*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 220A; 440W; TO220AB; 38ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 38ns Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 440W P...
IXYS
IXFP220N06T3
od PLN 9,60*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   931   932   933   934   935   936   937   938   939   940   941   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.