 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT8043BLLG |
od PLN 97,85*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 900 mA SOT-23 30 V SMD 0,73 oma (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 900 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = DMN3731 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ... |
|
od PLN 0,345*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AON6276 |
od PLN 3,45*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,567*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOTF286L |
od PLN 3,40*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPD90N08S405ATMA1 |
od PLN 4,785*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,491*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 900 mA SOT-323 20 V SMD 0.45 O. (1 Oferta) Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go ideal... |
|
od PLN 0,464*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,88*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 900 mA SOT-323 20 V SMD 0.45 O. (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 900 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = DMN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.... |
|
od PLN 385,53*
za 3 000 szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 90 A TSDSON 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 90 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TSDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IAUZ40N06S5L050ATMA1 |
od PLN 3,743*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPC90N04S5L3R3ATMA1 |
od PLN 1,768*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 91 A HiP247-4 1200 V 0.03 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 91 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = HiP247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źr... |
ST Microelectronics SCTWA70N120G2V-4 |
od PLN 309,575*
za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 45A; 89W (1 Oferta) Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 43mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 89W Pol... |
|
od PLN 1,86*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 9,689*
za szt. |
|
|
