 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 61 A PQFN8 150 V SMD 14 miliomów (1 Oferta) Tranzystor MOSFET ON SEMICONDUCTOR serii Power Trench 150V jest produkowany przy użyciu procesu Advanced, który wykorzystuje technologię ekranowanej bramki. Proces ten został zoptymalizowany w celu... |
|
od PLN 5,373*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 14,06*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,528*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,47*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 60 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 |
Infineon IAUC60N04S6L030HATMA1 |
od PLN 3,018*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6 938,50*
za 5 000 szt. |
|
|
|
Texas Instruments CSD18536KCS |
od PLN 12,21*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,923*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,244*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 60 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 |
Infineon IAUC60N04S6N050HATMA1 |
od PLN 2,454*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 7,82*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 650 A SOT-23 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 650 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie... |
ROHM Semiconductor BSS670T116 |
od PLN 755,31*
za 3 000 szt. |
|
|
|
Texas Instruments CSD18535KTTT |
od PLN 9,78*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSZ096N10LS5ATMA1 |
od PLN 2,99*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 812,99*
za 25 szt. |
|
|
