|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-2152583 Nr producenta:
IRF7311TRPBF EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Piąta generacja HEXFET firmy International Rectifier z serii Infineon wykorzystuje techniki przetwarzania Advanced, aby osiągnąć bardzo niski opór w przypadku obszaru krzemowego. Korzyści te, w połączeniu z dużą prędkością przełączania i wzmocnionej konstrukcji urządzenia, które są dobrze znane z HEXFET Power MOSFET, zapewniając wystarczające urządzenie poziomu dla, zapewnia projektantowi niezwykle wydajne i niezawodne urządzenie do użytku w wielu różnych zastosowaniach. URZĄDZENIE SO-8 zostało zmodyfikowane za pomocą dostosowanej do indywidualnych potrzeb ramy nośnej, co zapewnia lepsze parametry termiczne i możliwość stosowania wielu matryc, dzięki czemu doskonale sprawdza się w różnych zastosowaniach związanych z zasilaniem. Dzięki temu można używać wielu urządzeń w aplikacji o znacznie mniejszej przestrzeni na płycie głównej. Pakiet jest przeznaczony do fazy pary, podczerwieni dla technik lutu Wave.Technologia generacji V. Bardzo niska odporność Montaż powierzchniowy W pełni lawinowy Dwukanałowy tranzystor MOSFET typu N Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 6,6 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20 V | Typ opakowania: | SO-8 | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.029 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 0.7V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 2152583, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IRF7311TRPBF |
| | |
| |