Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 951 ofert spośród 4 926 782 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 11,1A; 96W; PG-VSON-4 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-VSON-4 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 11,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,299Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 96W...
Infineon
IPL60R299CPAUMA1
od PLN 5,85*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 48 A TO-247AC 600 V 0,052 oma (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z serii Vishay EF z diodą Fast Body jest wyposażony w technologię 4. Generacji serii E. Zmniejszyła straty związane z przełączaniem i przewodnictwem.Niska wartość FOM Ron x Qg Nis...
Vishay
SIHG052N60EF-GE3
od PLN 18,183*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 16A; 28W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 28W Pola...
Infineon
IPA60R120P7
od PLN 12,09*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 454 A PG HSOG-8 (TOLG) 60 V SMD 0.00075 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 454 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
IPTG007N06NM5ATMA1
od PLN 25 253,55*
za 1 800 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 48 A D2PAK (TO-263) 60 V SMD 0.023 Ω (2 ofert) 
Piąta generacja HEXFET firmy International Rectifier z serii Infineon wykorzystuje techniki przetwarzania Advanced, aby osiągnąć bardzo niski opór w przypadku obszaru krzemowego. Korzyści te, w poł...
Infineon
IRFZ44ESTRLPBF
od PLN 2,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; TO220F (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipola...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF190A60L
od PLN 6,12*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 44 A TO-220 300 V 0.041 Ω (1 Oferta) 
Tranzystory MOSFET Infineon, znane również jako tranzystory MOSFET, to „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi sterowanymi przez...
Infineon
IPP410N30NAKSA1
od PLN 26,88*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 483 A TO-247 100 V 0.00128 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 483 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = StrongIRFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
IRF100P218XKMA1
od PLN 30,663*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 16A; 347W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 470mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 347W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFA16N60P3
od PLN 17,96*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB65R045C7ATMA2
od PLN 28,207*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; 208W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB190A60L
od PLN 10,67*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 48 A PowerPAK 10 x 12 650 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 48 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PowerPAK 10 x 12 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów n...
Vishay
SIHK045N60E-T1-GE3
od PLN 25,086*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 13,1A; 208W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 13,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208...
Infineon
SPW20N60C3
od PLN 13,60*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 44 A WDFN 80 V SMD Pojedynczy 68 W 14,5 miliomów (1 Oferta) 
Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie 3 x 3 mm z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Opcja końcówek...
onsemi
NVTFS6H854NTAG
od PLN 1,533*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,299Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 96W ...
Infineon
IPB60R299CPATMA1
od PLN 5,83*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   861   862   863   864   865   866   867   868   869   870   871   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.