Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 841 003 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 1,35A; 23W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 1,35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 23W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQPF2N60C
od PLN 2,68*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45 A H2PAK-7 650 V SMD 0.067 Ω (1 Oferta) 
Urządzenie MOSFET z HM-krzemu STMicroelectronics zostało opracowane przy użyciu technologii ST Advanced i innowacyjnej technologii MOSFET drugiej generacji SiC. Urządzenie charakteryzuje się wyjątk...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7AG
od PLN 49,311*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A TO-220AB 150 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Diodes
DMT15H035SCT
od PLN 2,83*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10A; Idm: 40A; 178W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 178W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ10N60CZ
od PLN 1,16*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A TO-220 FP 100 V 0.0081 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = IPA Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0081 Ω...
Infineon
IPA082N10NF2SXKSA1
od PLN 3,672*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 1,4A; 50W; D2PAK,TO263 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryzacja: un...
Vishay
IRFBC20SPBF
od PLN 2,30*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A TSDSON-8 FL 60 V SMD 0.0099 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z serii Infineon OptiMOS™ z zasilaniem N-kanaowym. Doskonale nadaje się do ładowania bezprzewodowego, korzystania z adapterów i aplikacji telekomunikacyjnych. Urządzenia o niskim ...
Infineon
BSZ099N06LS5ATMA1
od PLN 2,195*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 1,3A; 42W; DPAK,TO252 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: DPAK;TO252 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 1,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Polaryzacja: uni...
Vishay
IRFRC20PBF
od PLN 1,55*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45 A HiP247 650 V 0,045 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SCTW35 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,045...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2V
od PLN 48,579*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,299Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 98W ...
Infineon
IPW60R299CPFKSA1
od PLN 7,31*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A TO-247 650 V 0.065 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = NTHL Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.065 Ω...
onsemi
NTHL065N65S3HF
od PLN 37,508*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 11,1A; 96W; PG-VSON-4 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-VSON-4 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 11,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,299Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 96W...
Infineon
IPL60R299CPAUMA1
od PLN 5,90*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A TO-220AB 250 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 250 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRFB4229PBF
od PLN 9,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 1,4A; 57W; TO251 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO251 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 57W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOY2N60
od PLN 0,71*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46.2 A PowerDI5060-8 40 V SMD 0.0123 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46.2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerDI5060-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystanc...
Diodes
DMTH4008LPDWQ-13
od PLN 2,147*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   861   862   863   864   865   866   867   868   869   870   871   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.