Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 841 003 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 454 A PG HSOG-8 (TOLG) 60 V SMD 0.00075 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 454 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
IPTG007N06NM5ATMA1
od PLN 25 253,55*
za 1 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; 93W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,33Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 93W P...
Infineon
IPP60R330P6XKSA1
od PLN 3,76*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 464 A DFN 30 V SMD 0.00052 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 464 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = NTMFS0D5N Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
onsemi
NTMFS0D5N03CT1G
od PLN 8,161*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12,5A; Idm: 60A; 39W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 39W Polaryzacja: unip...
onsemi
FCPF20N60
od PLN 13,52*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46,9 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 60 W 24 miliomy (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystanc...
Diodes
DMTH6016LK3-13
od PLN 0,775*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,74Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200...
IXYS
IXFP10N60P
od PLN 8,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 47 A TO-263 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Lic...
Infineon
IMBG120R045M1HXTMA1
od PLN 36,563*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10A; Idm: 36A; 35W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryz...
ST Microelectronics
STFU10NK60Z
od PLN 2,94*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB65R045C7ATMA2
od PLN 28,207*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 47 A PowerPAK 10 x 12 650 V Montaż na płytce drukowanej (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PowerPAK 10 x 12 Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej Liczba styków = 8 Tryb kanałow...
Vishay
SIHK045N60EF-T1GE3
od PLN 26,485*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W ...
Infineon
IPI60R250CPAKSA1
od PLN 7,47*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46.2 A PowerDI5060-8 40 V SMD 0.0123 O. (1 Oferta) 
Seria DiodesZetex DMTH4008LPDWQ to dwukanałowy tranzystor MOSFET typu N, który został zaprojektowany tak, aby spełniać rygorystyczne wymagania zastosowań motoryzacyjnych. Jest on używany w funkcjac...
Diodes
DMTH4008LPDWQ-13
od PLN 1,895*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 47 A, 48 A. PowerPAIR 3 x 3S 40 V SMD 0.0133 Ω, 0.00805 Ω, 0.00841 Ω, 0.01225 Ω (1 Oferta) 
Vishay SiZ240DT-T1-GE3 to dwukanałowe tranzystory MOSFET o napięciu 40 V (D-S).Układ mocy MOSFET TrenchFET® IV generacji Zintegrowany stopień mocy półmostka MOSFET Rg i UIS testowane w 100 % Zoptym...
Vishay
SiZ240DT-T1-GE3
od PLN 2,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10A; Idm: 40A; 45W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,54Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryzacj...
NTE Electronics
NTE2907
od PLN 24,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A DO-LL TYP A2 600 V SMD 0.076 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET wysokiego napięcia STMicroelectronics z kanalem N jest częścią serii diod szybkiego odzyskiwania MDmesh DM6. W porównaniu z poprzednią generacją MDmesh FAST, DM6 łączy bardzo nisk...
ST Microelectronics
STO65N60DM6
od PLN 15,228*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   871   872   873   874   875   876   877   878   879   880   881   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.