Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 840 958 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 49.8 A PowerDI3333-8 40 V SMD 0.013 O. (2 ofert) 
Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby spełniać rygorystyczne wymagania aplikacji motoryzacyjnych. Urządzenie jest zgodne z normą AEC-Q101, obsługiwaną przez pr...
Diodes
DMTH4014LFVWQ-7
od PLN 0,923*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 17A; Idm: 68A; 265W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 265W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6038SLLG
od PLN 46,43*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 483 A TO-247 100 V 0.00128 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 483 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = StrongIRFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
IRF100P218XKMA1
od PLN 30,773*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 189mA; 3,3W; SOT223 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 189mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,3W Polaryz...
ST Microelectronics
STN1NK60Z
od PLN 0,83*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A DPAK (TO-252) 500 V SMD 800 m.Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 500 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
IPD50R800CEAUMA1
od PLN 1,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 166W Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFR30N60P
od PLN 32,82*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 47 A TO-247AD 700 V 0.073 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Vishay
SQW44N65EF-GE3
od PLN 19,578*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 219W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30N60BC6
od PLN 29,61*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 17A; Idm: 68A; 265W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 265W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6038BFLLG
od PLN 42,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 49 A H-PSOF8L 650 V SMD 0.05 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET ON Semiconductor SUPERFET III ma rodzinę tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, która wykorzystuje technologię równoważenia obciążenia, aby uzyskać wyjątkową niską odporność na o...
onsemi
NTBL050N65S3H
od PLN 29,118*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,42Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W P...
IXYS
IXTQ18N60P
od PLN 12,75*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A IPAK (TO-251) 600 V 1.5 omów (1 Oferta) 
Infineon CoolMOS™ CE jest odpowiedni do twardych i miękkich zastosowań przełączania, a jako nowoczesny superwęzeł zapewnia niskie straty przewodzenia i przełączania, poprawiając wydajność i ostatec...
Infineon
IPU60R1K5CEAKMA2
od PLN 1,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 16A; 347W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 470mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 347W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFP16N60P3
od PLN 11,51*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 47,6 A SO-8 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Vishay
SIR5110DP-T1-RE3
od PLN 6,916*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2,4A; 25W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polar...
Taiwan Semiconductor
TSM4NB60CI C0G
od PLN 2,55*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   871   872   873   874   875   876   877   878   879   880   881   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.