| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2183094 Nr producenta: IRF100P218XKMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 483 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = StrongIRFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.00128 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 3.8V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 483 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | TO-247 | Seria: | StrongIRFET | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.00128 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.8V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2183094, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IRF100P218XKMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |