MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 1 208/1 526)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 109 A PG-TO220-3 60 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 109 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TO220-3 Typ montażu = Otwór przezierny

Infineon

SP005550852

od PLN 1,449*
za szt.

Tranzystor MOSFET Dual N-kanałowy LBB 95 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = Dual N Maksymalne napięcie dren-źródło = 95 V Typ opakowania = LBB Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5

ST Microelectronics

RF5L15120CB4

od PLN 611,385*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 179 A TDSON 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 179 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1

Infineon

ISC030N10NM6ATMA1

od PLN 29,055*
za 5 szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 100 A ThinkPAK 8 x 8 650 V SMD 0.105 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = ThinkPAK 8 x 8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystan...

Infineon

IPL60R105P7AUMA1

od PLN 9,185*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 117 A PG-TO263-7 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 117 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005742004

od PLN 5,854*
za szt.

Infineon IPB180N10S4-02 tranzystor 100 V (1 Oferta)

Infineon

IPB180N10S402ATMA1

od PLN 12,765*
za szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 109 A TO-247 650 V 0.099 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 109 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ P6 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...

Infineon

IPW60R099P6XKSA1

od PLN 17,585*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 119 A PG-TO220-3 60 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 119 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TO220-3 Typ montażu = Otwór przezierny

Infineon

SP005550839

od PLN 1,728*
za szt.

Infineon IAUC100N04S6L025 tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1

od PLN 6,115*
za 5 szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 185 A PG-TO220-3 60 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 185 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TO220-3 Typ montażu = Otwór przezierny

Infineon

SP005742471

od PLN 2 637,86*
za 1 000 szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 12 A PQFN 3 x 3 30 V SMD 0.0124 O. (1 Oferta)

Rodzina tranzystorów Infineon strong IRFET Power MOSFET została zoptymalizowana pod kątem niskiego poziomu RDS (włączony) i wysokiego natężenia prądu. Urządzenia te są idealne do zastosowań o niski...

Infineon

IRFH3707TRPBF

od PLN 0,455*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 120 A PG-TO263-3-2 (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 120 A Typ opakowania = PG-TO263-3-2

Infineon

IPB120N06S403ATMA2

od PLN 3,807*
za szt.

Infineon BSZ040N06LS5 tranzystor 250 V (1 Oferta)

Infineon

BSZ040N06LS5ATMA1

od PLN 7,705*
za 5 szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 194 A PG-TO220-3 60 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 194 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TO220-3 Typ montażu = Otwór przezierny

Infineon

SP005742470

od PLN 3 112,96*
za 1 000 szt.

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 13 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 360 milioma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = SUPERFET III Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...

onsemi

NTD360N80S3Z

od PLN 7,788*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 1201 1202 1203 1204 1205 1206 1207 1208 1209 1210 1211 .. 1526 Dalej

MOSFET (22 885 ofert spośród 5 025 914 artykułów)

"MOSFET"