 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 470 A H-PSOF8L 60 V SMD 0.75 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 470 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = NTBLS0D7N06C Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró... |
|
PLN 18,019*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STD5NM60T4 |
PLN 4,261*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,19*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 15,592*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 12,07*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 5 A DPAK (TO-252) 200 V SMD 600 MO (1 Oferta) Jednokanałowy tranzystor Infineon 200V HEXFET Power MOSFET w zestawie D-Pak.Płaska struktura komórek dla szerokiego SOA Zoptymalizowane pod kątem najszerszej dostępności od partnerów dystrybucyjnyc... |
|
od PLN 1,865*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 11,51*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 478 A D2PAK-7 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 478 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1 |
|
od PLN 12,081*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPZA60R099P7XKSA1 |
od PLN 12,07*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 5 A SO-8 150 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li... |
|
od PLN 1,56*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STD4NK60Z-1 |
od PLN 1,17*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 48 A TO-247 1700 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 48 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1700 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Materiał tranzystora = SiC |
Microchip Technology MSC035SMA170B |
od PLN 144,672*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 25,01*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,29*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT6038SLLG |
od PLN 45,56*
za szt. |
|
|
