Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 951 ofert spośród 4 926 781 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 49 A H-PSOF8L 650 V SMD 0.05 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET ON Semiconductor SUPERFET III ma rodzinę tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, która wykorzystuje technologię równoważenia obciążenia, aby uzyskać wyjątkową niską odporność na o...
onsemi
NTBL050N65S3H
od PLN 29,068*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 95W P...
Infineon
IPP60R120P7
od PLN 12,75*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A DO-LL TYP A2 600 V SMD 0.076 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET wysokiego napięcia STMicroelectronics z kanalem N jest częścią serii diod szybkiego odzyskiwania MDmesh DM6. W porównaniu z poprzednią generacją MDmesh FAST, DM6 łączy bardzo nisk...
ST Microelectronics
STO65N60DM6
od PLN 15,228*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; 33W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Pola...
Infineon
IPA60R250CPXKSA1
od PLN 6,95*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP60R060P7XKSA1
od PLN 849,85*
za 50 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 13,8A; 104W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...
Infineon
IPW60R280C6FKSA1
od PLN 6,49*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 440 A SO-8 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 440 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
Vishay
SIRS4400DP-T1-RE3
od PLN 40 460,34*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 49 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD Pojedynczy 38 W 8,1 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 49 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...
onsemi
NVMYS8D0N04CTWG
od PLN 2,682*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 17A; Idm: 68A; 265W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 265W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6038BLLG
od PLN 41,13*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A PowerPAK SO-8L 80 V SMD 0,0173 oma (1 Oferta) 
Vishay Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175°C MOSFET jest zakwalifikowany do AEC-Q101.100 % badanych RG i UIS Tranzystor MOSFET z zasilaniem TrenchFET Gen IV
Vishay
SQJA81EP-T1_GE3
od PLN 11 280,15*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 370mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT18F60B
od PLN 20,02*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 48 A TO-247 1700 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 48 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1700 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Materiał tranzystora = SiC
Microchip Technology
MSC035SMA170B
od PLN 144,622*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45 A DO-263S 200 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = DO-263S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
ROHM Semiconductor
RCJ451N20TL
od PLN 6 652,81*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryz...
ST Microelectronics
STF13NM60ND
od PLN 8,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 189mA; 3,3W; SOT223 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 189mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,3W Polaryz...
ST Microelectronics
STN1NK60Z
od PLN 0,82*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   861   862   863   864   865   866   867   868   869   870   871   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.