MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 866/1 531)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 1,51A; 45W; TO220-3 (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 1,51A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polary...

ST Microelectronics

STP3NK60Z

od PLN 1,50*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 478 A D2PAK-7 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 478 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1

Infineon

IRL40SC209

od PLN 10,76*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 13,8A; 104W; PG-TO220-3 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...

Infineon

IPP60R280E6XKSA1

od PLN 4,52*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 45 A H2PAK-7 650 V SMD 0.067 Ω (1 Oferta)

Urządzenie MOSFET z HM-krzemu STMicroelectronics zostało opracowane przy użyciu technologii ST Advanced i innowacyjnej technologii MOSFET drugiej generacji SiC. Urządzenie charakteryzuje się wyjątk...

ST Microelectronics

SCTH35N65G2V-7AG

od PLN 49,391*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,74Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200...

IXYS

IXFP10N60P

od PLN 8,40*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 47 A SuperSO8 5 x 6 60 V SMD 0.0134 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...

Infineon

BSC094N06LS5ATMA1

od PLN 2,925*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3 (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W Polary...

ST Microelectronics

STP11NM60

od PLN 7,44*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 433 A TDSON 30 V SMD 0.0055 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 433 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...

Infineon

BSC005N03LS5ATMA1

od PLN 6,274*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 1,6A; 56,8W; TO252 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 56,8...

Alpha & Omega Semiconductor

AOD3N60

od PLN 1,26*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 479 A TDSON 25 V SMD 0.00045 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 479 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...

Infineon

BSC004NE2LS5ATMA1

od PLN 6,852*
za szt.

Infineon IPI60R280C6 tranzystor 600 V (1 Oferta)

Infineon

IPI60R280C6XKSA1

od PLN 4,53*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 45 A HiP247 650 V 0,045 oma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SCTW35 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,045...

ST Microelectronics

SCTW35N65G2V

od PLN 48,609*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 47 A TO-247 650 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3

onsemi

NTHL060N065SC1

od PLN 30,952*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryz...

ST Microelectronics

STFH13N60M2

od PLN 5,31*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 437 A PowerPAK 8 x 8L 30 V SMD 0.002 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 437 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = N-Channel 30 V Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-ź...

Vishay

SQJ128ELP-T1_GE3

od PLN 4,145*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 861 862 863 864 865 866 867 868 869 870 871 .. 1531 Dalej

MOSFET (22 951 ofert spośród 4 926 781 artykułów)

"MOSFET"