Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 987 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Infineon
IRF40B207
od PLN 1,98*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 37 A TO-247-4 650 V (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 37 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
ST Microelectronics
STWA75N65DM6
od PLN 40,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 600A; 1250W; TO264; 100ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 600A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25k...
IXYS
IXTK600N04T2
od PLN 67,92*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A 3 x 3FS 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = 3 x 3FS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 12 Tryb kanałowy = Rozszerzeni...
Vishay
SIZF4800LDT-T1-GE3
od PLN 4,523*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 376 A Power 88 60 V SMD Pojedynczy 244 W 910 μΩ (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 376 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = Power 88 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dre...
onsemi
NTMTS001N06CTXG
od PLN 26 955,51*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 0,5A; 1,6W; SOT89-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT89-3 Napięcie dren-źródło: 500V Rezystancja w stanie przewodzenia: 13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipolarn...
Microchip Technology
VN2450N8-G
od PLN 8,38*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A HU3PAK 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = STHU47 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalne napięcie progowe VGS = 4.75V
ST Microelectronics
STHU47N60DM6AG
od PLN 11 364,084*
za 600 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 70 A TO-220 FP 40 V 0.0041 Ω (2 ofert) 
Ten tranzystor MOSFET Infineon OptiMOS 3 oferuje nie tylko najniższe w branży moduły R DS (włączone), ale także doskonałe funkcje przełączania dla szybkich aplikacji przełączających. Technologia ci...
Infineon
IPA041N04NGXKSA1
od PLN 1,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 37,9 A TO-220 FP 650 V 0.099 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 37,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
Infineon
IPA60R099P6XKSA1
od PLN 11,149*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 65A; 88W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 88W Polaryzacja: unipolarn...
Toshiba
TK65S04K3L(T6L1,NQ
od PLN 2,57*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A LFPAK, SOT-669 60 V SMD Pojedynczy 37 W 21,5 miliomy (1 Oferta) 
Przemysłowy układ Power MOSFET w obudowie 5 x 6 mm z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne.Kompaktowa konstr...
onsemi
NTMYS014N06CLTWG
od PLN 5,185*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB60R055CFD7ATMA1
od PLN 14 965,95*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 0,8A; 60W; TO263; 11ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 11ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 0,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 60W Po...
IXYS
IXTA08N50D2
od PLN 5,09*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A LFPAK, SOT-669 60 V SMD Pojedynczy 37 W 21,5 miliomy (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...
onsemi
NVMYS014N06CLTWG
od PLN 1,382*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 370 mA SOT-223 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 370 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
BSR802NL6327HTSA1
od PLN 0,934*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   811   812   813   814   815   816   817   818   819   820   821   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.