 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 386 A TO-247 650 V 0.024 Ω (1 Oferta) Superzłącze MOSFET CoolMOS P7 Infineon 600V jest następcą serii 600V CoolMOS™ P6. W dalszym ciągu równoważy on potrzebę wysokiej wydajności z łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepsza w... |
|
od PLN 31,521*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT30F50S |
od PLN 25,96*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 33,399*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 39 A TO-247-4L 650 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L... |
ROHM Semiconductor SCT3060ARHRC15 |
od PLN 32,417*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AON6152 |
od PLN 4,01*
za szt. |
|
|
|
|
PLN 1,11*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,134*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 39 A SuperSO8 5 x 6 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na u... |
|
PLN 11,026*
za szt. |
|
|
|
Taiwan Semiconductor TSM5NC50CF C0G |
od PLN 2,62*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 39 A HSMT 100 V SMD 0.0155 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HSMT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr... |
ROHM Semiconductor RQ3P300BHTB1 |
od PLN 2,707*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 38,64*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,516*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,88*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 38 A Super-247 600 V 0.15 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 38 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = Super-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źr... |
|
od PLN 21,982*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT30F50B |
od PLN 21,35*
za szt. |
|
|
