| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1952529 Nr producenta: NTMYS014N06CLTWG EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Przemysłowy układ Power MOSFET w obudowie 5 x 6 mm z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne.Kompaktowa konstrukcja z małą powierzchnią podstawy (5 x 6 mm) Niska wartość RDS(on) ogranicza do minimum straty przewodzenia Niska wartość QG i pojemność minimalizują straty sterownika Pakiet Lfpak4, Standard Branżowy Urządzenia bez zawartości ołowiu Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 36 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | LFPAK, SOT-669 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 4 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 21,5 miliomy | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.2V | Maksymalna strata mocy: | 37 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 5mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1952529, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTMYS014N06CLTWG |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |