Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 967 ofert spośród 4 907 056 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 39 A TO-247 650 V 0.064 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.06...
Infineon
IMW65R048M1HXKSA1
od PLN 21,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 2,5A; 40W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 2,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FDD3N50NZTM
od PLN 1,71*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 39 A TO-247-4 650 V 0.064 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.06...
Infineon
IMZA65R048M1HXKSA1
od PLN 19,936*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 24A; Idm: 115A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT37F50B
od PLN 36,09*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 396 A PG HDSOP-16 (TOLT) 80 V SMD 0.0012 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 396 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 16 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Infineon
IPTC012N08NM5ATMA1
PLN 16,908*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 0,7A; 2,5W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 500V Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarny ...
Microchip Technology
DN2450K4-G
od PLN 2,74*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPW60R055CFD7 tranzystor 600 V (1 Oferta)
Infineon
IPW60R055CFD7XKSA1
od PLN 19,846*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 2,7A; 25W; TO220FP; ESD (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryz...
ST Microelectronics
STP5NK50ZFP
od PLN 2,65*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 39 A TO-247-4L 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
ROHM Semiconductor
SCT3060ARC15
od PLN 37,065*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 2,5A; Idm: 10A; 40W; TO220 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Mont...
NTE Electronics
NTE2380
od PLN 16,62*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 39 A TO-247-4L 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
ROHM Semiconductor
SCT3060ARHRC15
od PLN 33,663*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 26A; 300W; D3PAK (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: MICROCHIP (MICROSEMI...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5020SVFRG
od PLN 33,04*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 399 A sTOLL 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 399 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = sTOLL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Infineon
IST011N06NM5AUMA1
od PLN 10,764*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 39 A TO-263-7 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IMBG65R057M1HXTMA1
od PLN 20,539*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 2,7A; 70W; TO220-3; ESD (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryz...
ST Microelectronics
STP5NK50Z
od PLN 1,89*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   811   812   813   814   815   816   817   818   819   820   821   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.