Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 841 260 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-247-4L 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
ROHM Semiconductor
SCT3080KRHRC15
od PLN 34,591*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-220FP 600 V 0,082 oma (2 ofert) 
Tranzystor STMicroelectronics N 600 V, 70 MO typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET w zestawie PowerFLAT 8x8 HV zapewnia doskonałą wydajność przełączania dzięki dodatkowemu bolcowi źródła napędu.Niska r...
ST Microelectronics
STL47N60M6
od PLN 15,666*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 31.8 A PowerDI3333-8 60 V SMD 0.016 O. (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go ideal...
Diodes
DMT6015LFVW-7
od PLN 0,807*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Pola...
Infineon
BSC050N03MSGATMA1
od PLN 1,16*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 304 A TO-247 100 V 0.0017 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 304 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = StrongIRFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
IRF100P219XKMA1
od PLN 19,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 400V; 1,7A; Idm: 6A; 25W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: DPAK;TO252 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 1,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryzacja: uni...
Vishay
IRFR310PBF
od PLN 1,42*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-263 600 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Licz...
Infineon
IPB60R099CPAATMA1
od PLN 16,695*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-247 600 V 105 m.Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 105...
Infineon
IPW60R099CPAFKSA1
od PLN 23,305*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 310 A WHSON 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 310 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = WHSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Infineon
SP005419117
od PLN 7,403*
za szt.
 
 szt.
Infineon BSC042N03LS G tranzystor 55 V (1 Oferta)
Infineon
BSC042N03LSGATMA1
od PLN 1,36*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 306 A TSON-8-3 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 306 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TSON-8-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BSC012N06NSATMA1
od PLN 10,105*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-263-7L 750 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = TO-263-7L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerze...
ROHM Semiconductor
SCT4045DW7TL
od PLN 28,957*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 9A; Idm: 80A; 1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: u...
Diodes
DMN3015LSD-13
od PLN 0,87*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-247-4L 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
ROHM Semiconductor
SCT3080KRHRC15
od PLN 33,255*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 82A; 57W; PG-TDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 82A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 57W Po...
Infineon
BSC042N03MSGATMA1
od PLN 1,36*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   781   782   783   784   785   786   787   788   789   790   791   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.