| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2222877 Nr producenta: DMT6015LFVW-7 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla aplikacji do zarządzania energią o wysokiej wydajności.Niska rezystancja w stanie włączenia Obudowa o małej wielkości, wydajna termicznie, umożliwia uzyskanie produktów o większej gęstości Wilgotna deska dla lepszej kontroli optycznej Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 31.8 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | PowerDI3333-8 | Seria: | DMT | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.016 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Materiał tranzystora: | Plastik |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2222877, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMT6015LFVW7 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |