Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 924 043 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 310 A WHSON 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 310 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = WHSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Infineon
SP005419117
od PLN 26 810,70*
za 6 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 3kV; 2A; 520W; TO247HV; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 3kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Po...
IXYS
IXTH2N300P3HV
od PLN 135,39*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPW60R099CPAFKSA1
od PLN 686,31*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 400V; 2,8A; 78W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 78W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD5N40
od PLN 0,93*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33,2 A PowerDI5060-8 60 V SMD 37,5 W 28 miliomów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerDI5060-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystanc...
Diodes
DMTH6016LPD-13
od PLN 4 287,575*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 400V; 1,2A; 2W; SOT223 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 1,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FDT3N40TF
od PLN 1,79*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-220 650 V 0.07 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
IPP60R070CFD7XKSA1
od PLN 18,073*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 310 mA UMT3 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 310 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = UMT3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
ROHM Semiconductor
BSS138WT106
od PLN 0,85*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 1A; 520W; TO268HV; 1,75us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 1,75µs Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W...
IXYS
IXTT1N450HV
od PLN 154,86*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-247-4L 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
ROHM Semiconductor
SCT3080KRHRC15
od PLN 34,611*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 400V; 220mA; Idm: 2A; 740mW; TO92 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 0,22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,74W Polaryz...
Microchip Technology
TN2640N3-G
od PLN 4,47*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33,8 A PowerPAK 1212-8S 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = ...
Vishay
SISS5708DN-T1-GE3
od PLN 11 031,24*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 400V; 1,9A; Idm: 12A; 35W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 1,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FQPF5N40
od PLN 2,63*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-220 Full-Pak 55 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba element...
Infineon
IRFIZ44NPBF
od PLN 3,706*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 9A; Idm: 50A; 1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: u...
Diodes
DMN4800LSS-13
od PLN 0,57*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   781   782   783   784   785   786   787   788   789   790   791   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.