Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 924 043 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-220 FP 1200 V 99 m.Ω (1 Oferta) 
Superzłącze Infineon 600V CoolMOS™ P7 MOSFET jest następcą serii 600V CoolMOS™ P6. W dalszym ciągu równoważy on potrzebę wysokiej wydajności z łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepsza ...
Infineon
IPA60R099P7XKSA1
od PLN 11,083*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSO150N03MDGXUMA1
od PLN 2,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 300 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 830 mW 5 omów (2 ofert) 
MOSFET N-Channel, od 60 V do 80 V, Nexperia
Nexperia
PMBF170,215
od PLN 0,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1,75us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 1,75µs Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W...
IXYS
IXTH1N450HV
od PLN 134,87*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A D-PAK 150 V Montaż na płytce drukowanej (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = D-PAK Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej
Infineon
IRFR4615TRLPBF
od PLN 7 946,97*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 350V; 0,15A; 15W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 350V Rezystancja w stanie przewodzenia: 25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 15W Polaryzacja: unipolarny R...
Microchip Technology
DN2535N5-G
od PLN 6,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 8,5A; 2,1W; PQFN2X2 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PQFN2X2 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,1W Po...
Infineon
IRFHM6342TR2PBF
od PLN 3 388,68*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-220FP 600 V 0,082 oma (2 ofert) 
Tranzystor STMicroelectronics N 600 V, 70 MO typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET w zestawie PowerFLAT 8x8 HV zapewnia doskonałą wydajność przełączania dzięki dodatkowemu bolcowi źródła napędu.Niska r...
ST Microelectronics
STL47N60M6
od PLN 15,636*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 9,5A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 9,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarny...
Vishay
SI4894BDY-T1-E3
od PLN 1,03*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 302 A PG-TO263-7 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 302 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerz...
Infineon
IPF009N04NF2SATMA1
od PLN 6,956*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A DO-263S 250 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 250 V Typ opakowania = DO-263S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
ROHM Semiconductor
RCJ331N25TL
od PLN 6,61*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 300 mA US6 60 V SMD 1,2e+006 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 300 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = US6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źr...
Toshiba
SSM6N7002KFU,LF(T
od PLN 0,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 8,5A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Pola...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4468
od PLN 0,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-247 600 V 105 m.Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 105...
Infineon
IPW60R099CPAFKSA1
od PLN 23,285*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 9A; Idm: 50A; 1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzacyjna...
Diodes
DMN4800LSSQ-13
od PLN 0,70*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   781   782   783   784   785   786   787   788   789   790   791   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.