| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2224875 Nr producenta: IPA60R099P7XKSA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Superzłącze Infineon 600V CoolMOS™ P7 MOSFET jest następcą serii 600V CoolMOS™ P6. W dalszym ciągu równoważy on potrzebę wysokiej wydajności z łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepsza w swojej klasie platforma CoolMOS™ 7. Generacji RonxA i niski poziom naładowania bramki (QG) zapewniają wysoką wydajność.Wytrzymałość ESD ≥ 2 kV (HBM klasa 2) Wbudowany rezystor bramki RG Dioda z wytrzymałym korpusem Szeroka oferta w pakietach do montażu powierzchniowego i otworów przelotowych Dostępne są zarówno części klasy standardowej, jak i przemysłowej Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 31 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1200 V | Typ opakowania: | TO-220 FP | Seria: | CoolMOS™ P7 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 99 m.Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.5V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2224875, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPA60R099P7XKSA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |