MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 789/1 532)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 300A; 480W; TO263; 53ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 300A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W P...

IXYS

IXTA300N04T2

od PLN 12,56*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 34 A PowerPAK 10 x 12 650 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PowerPAK 10 x 12 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów n...

Vishay

SIHK065N60E-T1-GE3

od PLN 29 889,22*
za 2 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 1A; 520W; TO268HV; 1,75us (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 1,75µs Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W...

IXYS

IXTT1N450HV

od PLN 155,50*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 334 A SO-8 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 334 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...

Vishay

SIRS4600DP-T1-RE3

od PLN 12,30*
za szt.

Infineon AUIRF1404S tranzystor 30 V (1 Oferta)

Infineon

AUIRF1404S

od PLN 13,60*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 342 A TO-263-7 60 V SMD 0.0011 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 342 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dre...

onsemi

NTBGS001N06C

od PLN 29 877,096*
za 800 szt.

MOSFET N-kanałowy 335 A PowerPAK SO-8 25 V SMD 0.00058 Ω (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 335 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...

Vishay

SIRA20BDP-T1-GE3

od PLN 2,755*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 34 A Rura 750 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = Rura Typ montażu = Otwór przezierny

ROHM Semiconductor

SCT4045DRC15

od PLN 27,156*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 400V; 1,7A; Idm: 6A; 25W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: DPAK;TO252 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 1,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryzacja: uni...

Vishay

IRFR310PBF

od PLN 1,43*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 337 A DFN 80 V SMD Pojedynczy 300 W 1,1 milioma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 337 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = DFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...

onsemi

NVMTS1D2N08H

od PLN 21,047*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 164A; Idm: 350A; 156W (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 164A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 156W Polar...

Diodes

DMT4003SCT

od PLN 2,66*
za szt.

Infineon IPB35N10S3L-26 tranzystor 100 V (1 Oferta)

Infineon

IPB35N10S3L26ATMA1

od PLN 3,535*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 337 A DFN 30 V SMD 0.00115 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 337 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = DFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...

onsemi

NTMFS0D8N03CT1G

od PLN 3,025*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 340A; 480W; TO263; 43ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 43ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 340A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W P...

IXYS

IXTA340N04T4

od PLN 12,08*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 34 A TO-247 1200 V 0,08 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,0...

Infineon

AIMW120R080M1XKSA1

od PLN 10 070,1312*
za 240 szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 781 782 783 784 785 786 787 788 789 790 791 .. 1532 Dalej

MOSFET (22 967 ofert spośród 4 917 899 artykułów)

"MOSFET"