| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2144440 Nr producenta: IRF100P219XKMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 304 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = StrongIRFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0017 Ω Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 304 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | TO-247 | Seria: | StrongIRFET | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0017 Ω | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2144440, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IRF100P219XKMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |