 | | | | | |
| Fotografia | | | | Zamów |
|
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 293 A PG-TO263-7 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 293 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerz... |
Infineon IPF010N06NF2SATMA1 |
od PLN 11,369*
za szt. |
|
100% |
|
|
Infineon IPB60R070CFD7ATMA1 |
od PLN 12,711*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 6,976*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 28 A TO-247-4 650 V 0.094 Ω (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 28 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.09... |
Infineon IMZA65R072M1HXKSA1 |
od PLN 16,066*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 298 A PQFN 3 x 3 25 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 298 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła... |
Infineon IQE006NE2LM5ATMA1 |
od PLN 6,621*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 28 A TO-263-7 650 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 28 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IMBG65R083M1HXTMA1 |
od PLN 15,68*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 11,72*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 26 A TO-247-4 1200 V 90 m.Ω (2 ofert) Infineon CoolSiC 1200 V, 90 mΩ SiC MOSFET w pakiecie TO247-4 bazuje na najnowocześniejszym procesie półprzewodników do rowów zoptymalizowanym pod kątem połączenia wydajności z niezawodnością. W por... |
Infineon IMZ120R090M1HXKSA1 |
od PLN 25,655*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 3 A SOT-223 700 V SMD 2 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =... |
|
od PLN 2,487*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 282 A PG-TO263-7 60 A SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 282 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 A Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerz... |
Infineon IPF012N06NF2SATMA1 |
od PLN 8,767*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-220 FP 1200 V 99 m.Ω (1 Oferta) Superzłącze Infineon 600V CoolMOS™ P7 MOSFET jest następcą serii 600V CoolMOS™ P6. W dalszym ciągu równoważy on potrzebę wysokiej wydajności z łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepsza ... |
|
od PLN 9,375*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 260 A D2PAK (TO-263) 75 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 260 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 75 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 |
|
od PLN 19,539*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 3 A ThinPAK 5 x 6 800 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = ThinPAK 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na uk... |
Infineon IPLK80R2K0P7ATMA1 |
od PLN 3,037*
za szt. |
|
100% |
|
|
Infineon ISC011N06LM5ATMA1 |
od PLN 9,765*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-247 600 V 105 m.Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 105... |
Infineon IPW60R099CPAFKSA1 |
od PLN 23,315*
za szt. |
|
|
