 | | | | | |
| Fotografia | | | | Zamów |
|
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 3,5 A SO-8 30 V SMD 0.2 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ... |
|
od PLN 1,605*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 13,187*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 28 A ThinPAK 8 x 8 650 V SMD 70 m.Ω (1 Oferta) Superwęzeł serii MOSFET CoolMOS™ C7 firmy Infineon to rewolucyjny krok naprzód w dziedzinie technologii, dostarczający najniższy na świecie system RDS (włączony)/pakiet, a dzięki niskim stratom prz... |
|
PLN 15,869*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 31 A DO 263 650 V SMD 0.099 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ... |
|
od PLN 10,241*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 3,6 A DFN2020 30 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = DFN2020 Typ montażu = Otwór przezierny |
|
od PLN 0,707*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 35 A DPAK (TO-252) 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 |
|
od PLN 4,574*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 28 A TO-247-4 650 V 0.094 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 28 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.09... |
Infineon IMZA65R072M1HXKSA1 |
od PLN 28,521*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 31 A DPAK 100 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = DPAK Typ montażu = Otwór przezierny |
|
od PLN 2,56*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 3,9 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 1.4 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = CoolMOS™ CE Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró... |
|
od PLN 3,235*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
PLN 3,348*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 28 A TO-263-7 650 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 28 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IMBG65R083M1HXTMA1 |
od PLN 23,152*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 10,129*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 3,9 A ThinPAK 5 x 6 700 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = ThinPAK 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na ... |
Infineon IPLK70R1K4P7ATMA1 |
od PLN 1,373*
za szt. |
|
100% |
|
|
Infineon IPD35N12S3L24ATMA1 |
od PLN 2,641*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 285 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 285 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon BSC010N04LS6ATMA1 |
PLN 3,916*
za szt. |
|
|
