 | | | | | |
| Fotografia | | | | Zamów |
|
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 260 A HSOF-8 100 V SMD 0.0019 Ω (1 Oferta) Infineon seria OptiMOS™-5 100V N-kanałowy MOSFET samochodowy. Ma TYP PAKIETU TOLL (HSOF-8).Tryb rozszerzenia kanału N MSL1 do 260°C Relow Peak Temperatura pracy: 175°C Bardzo niski poziom RDS (włąc... |
Infineon IAUT260N10S5N019ATMA1 |
PLN 9,55*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 3,1 A ThinPAK 5 x 6 700 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = ThinPAK 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na ... |
Infineon IPLK70R2K0P7ATMA1 |
od PLN 2,222*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 29 A HSOF-8 600 V SMD 80 m.Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 29 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ G7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród... |
|
PLN 12,632*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 5,067*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 20,928*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 3,2 A Micro6 30 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Materiał... |
|
od PLN 0,661*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 29 A ThinPAK 8 x 8 650 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 29 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = ThinPAK 8 x 8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na u... |
Infineon IPL65R095CFD7AUMA1 |
od PLN 16,425*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 310 A WHSON 25 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 310 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = WHSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ... |
|
PLN 4,57*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 6,553*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 3,6 A SO-8 150 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba ... |
|
od PLN 1,509*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 29 A TO-247 600 V 120 MO (1 Oferta) MOSFET Infineon 600V CoolMOS™ P7 jest następcą serii 600V CoolMOS™ P6. W dalszym ciągu równoważy on potrzebę wysokiej wydajności z łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepsza w swojej kla... |
|
od PLN 9,683*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
PLN 12,609*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
PLN 1,982*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 3,7 A IPAK (TO-251) 600 V 2.1 Ω (1 Oferta) Tranzystor MOSFET z serii Infineon 600V CoolMOS™ CE o mocy N-kanałach. Seria CoolMOS™ CE zapewnia wszystkie korzyści wynikające z szybkiego przełączania Superjunction MOSFET, nie poświęcając jednoc... |
|
od PLN 1,235*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 298 A PQFN 3 x 3 25 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 298 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła... |
Infineon IQE006NE2LM5CGATMA1 |
od PLN 6,621*
za szt. |
|
|
