 | | | | | |
| Fotografia | | | | Zamów |
|
|
100% |
|
|
Infineon IPW60R099CPAFKSA1 |
od PLN 22,895*
za szt. |
|
100% |
|
|
Infineon IPD26N06S2L35ATMA2 |
od PLN 1,473*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-220 600 V 60 m.Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ C7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ... |
|
od PLN 17,878*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 288 A PQFN 3 x 3 60 V SMD 0.0034 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 288 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło ... |
Infineon ISZ034N06LM5ATMA1 |
PLN 3,179*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-263 600 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Licz... |
Infineon IPB60R099CPAATMA1 |
od PLN 16,685*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 30 A DPAK (TO-252) 55 V SMD 0.013 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =... |
Infineon IPD30N06S2L13ATMA4 |
od PLN 3,521*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-220 80 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = IPP016N08NF2S Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalne napięcie progowe VGS = 3.... |
Infineon IPP016N08NF2SAKMA1 |
od PLN 7,35*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 289 A PG-TO263-7 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 289 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerz... |
Infineon IPF010N04NF2SATMA1 |
od PLN 6,496*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 31,2 A DO 263 650 V SMD 0.11 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł... |
Infineon IPB65R110CFDAATMA1 |
od PLN 19,235*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 30 A PG-TO252 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TO252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
Infineon IPD220N06L3GATMA1 |
od PLN 2,173*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-247 650 V 0.074 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.07... |
Infineon IMW65R057M1HXKSA1 |
od PLN 33,318*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 31,2 A TO-220 650 V 0.11 Ω (1 Oferta) Tranzystory MOSFET Infineon, znane również jako tranzystory MOSFET, to „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi sterowanymi przez... |
Infineon IPP65R110CFDAAKSA1 |
od PLN 20,533*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 30 A PQFN 5 x 6 80 V SMD 0.0021 Ω (1 Oferta) Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET mocy HEXFET®, zwanych również tranzystorem MOSFET, oznacza „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tran... |
|
od PLN 2,878*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 350 A PG HDSOP-16 (TOLT) 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 350 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 16 Maksymalne napięcie progowe VGS... |
Infineon IAUS300N10S5N015TATMA1 |
PLN 15,316*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
PLN 10,901*
za szt. |
|
|
