 | | | | | |
| Fotografia | | | | Zamów |
|
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 29 A ThinPAK 8 x 8 650 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 29 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = ThinPAK 8 x 8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na u... |
Infineon IPL65R095CFD7AUMA1 |
od PLN 16,485*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 30 A PQFN 5 x 6 80 V SMD 0.0021 Ω (1 Oferta) Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET mocy HEXFET®, zwanych również tranzystorem MOSFET, oznacza „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tran... |
|
od PLN 2,868*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 35 A TDSON 200 V SMD 0.035 Ω (1 Oferta) Tranzystor MOSFET z serii Infineon OptiMOS™ z zasilaniem N-kanaowym. Urządzenia te są idealnym wyborem do zastosowań wymagających przełączania, takich jak telekomunikacja, zasilacze przemysłowe, wz... |
Infineon BSC350N20NSFDATMA1 |
od PLN 7,211*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 29 A TO-247 600 V 120 MO (1 Oferta) MOSFET Infineon 600V CoolMOS™ P7 jest następcą serii 600V CoolMOS™ P6. W dalszym ciągu równoważy on potrzebę wysokiej wydajności z łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepsza w swojej kla... |
|
od PLN 9,703*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 298 A PQFN 3 x 3 25 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 298 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła... |
Infineon IQE006NE2LM5ATMA1 |
od PLN 4,056*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-252 120 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 120 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IPD30N12S3L31ATMA1 |
od PLN 2,853*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-220 150 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Materiał tran... |
|
od PLN 4,14*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 298 A PQFN 3 x 3 25 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 298 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła... |
Infineon IQE006NE2LM5CGATMA1 |
od PLN 6,601*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 3 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 2 Ω (1 Oferta) Seria MOSFET Super JUJUJN Infineon 800V Cool MOS™ P7 to idealne rozwiązanie do zastosowań SMPS o niskim zapotrzebowaniu na energię, w pełni zaspokajając potrzeby rynku w zakresie wydajności, łatwoś... |
|
od PLN 1,79*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-252 55 V SMD 0.023 O. (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =... |
Infineon IPD30N06S223ATMA2 |
od PLN 3,207*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-220AB 150 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny |
|
od PLN 4,917*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 0,924*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 1,928*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-247 600 V 0.06 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ C7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ... |
|
od PLN 18,243*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 3 A SO-8 50 V SMD 0.13 Ω (1 Oferta) Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET HEXFET® wykorzystuje najnowsze techniki przetwarzania w celu uzyskania niskiej odporności na działanie każdego obszaru krzemu. Ta korzyść w połączeniu z duż... |
|
od PLN 2,026*
za szt. |
|
|
