| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2224656 Nr producenta: IPB65R110CFDAATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.11 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 4.5V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 31,2 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | DO 263 | Seria: | CoolMOS™ | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.11 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.5V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2224656, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPB65R110CFDAATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |