 | | | | | |
| Fotografia | | | | Zamów |
|
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 32 A TO-220 80 V (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 32 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalne napięcie progowe VGS = ... |
Infineon IPP019N08NF2SAKMA1 |
od PLN 5,201*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 3,7 A SO-8 200 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Otwór przezierny |
|
od PLN 2,56*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 320 A D2PAK-7 40 V SMD 0.0016 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 320 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ... |
|
PLN 9,769*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 27 A ThinPAK 8 x 8 600 V SMD 125 MO (1 Oferta) MOSFET Infineon 600V CoolMOS™ P7 jest następcą serii 600V CoolMOS™ P6. W dalszym ciągu równoważy on potrzebę wysokiej wydajności z łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepsza w swojej kla... |
|
PLN 5,83*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 2,374*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 3 A SO-8 50 V SMD 0.13 Ω (1 Oferta) Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET HEXFET® wykorzystuje najnowsze techniki przetwarzania w celu uzyskania niskiej odporności na działanie każdego obszaru krzemu. Ta korzyść w połączeniu z duż... |
|
PLN 2,743*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 33 A ThinPAK 8 x 8 600 V SMD 75 m.Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ CFD7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źr... |
Infineon IPL60R075CFD7AUMA1 |
PLN 10,762*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 27 A TO-220 100 V (1 Oferta) Infineon IPP026N10NF2S to tranzystor mocy N MOSFET. Napięcie źródła spustu tego tranzystora mosfet wynosi 100 V. Obsługuje szeroki zakres zastosowań, a standardowy system styków umożliwia wymianę. ... |
Infineon IPP026N10NF2SAKMA1 |
od PLN 9,114*
za szt. |
|
100% |
|
|
Infineon IPD30N03S2L20ATMA1 |
od PLN 1,863*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 3 A SOT-223 650 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IPN60R2K0PFD7SATMA1 |
od PLN 1,649*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 33 A TO-247-4 700 V 0.065 Ω (1 Oferta) Konstrukcja Infineon serii Cool MOS™ C7 łączy w sobie doświadczenie wiodącego dostawcy SJ MOSFET z innowacjami wysokiej klasy. Oferta produktów zapewnia wszystkie korzyści związane z szybkim przełą... |
|
od PLN 14,58*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 11,455*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 30 A PQFN 3 x 3 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ... |
Infineon IAUZ30N06S5L140ATMA1 |
od PLN 2,08*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 3 A SOT-223 700 V SMD 2000 m.Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł... |
Infineon IPN70R2K0P7SATMA1 |
od PLN 1,093*
za szt. |
|
100% |
|
|
Infineon IPTC014N08NM5ATMA1 |
od PLN 15,248*
za szt. |
|
|
