Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 177 ofert spośród 4 840 879 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 431W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60N60SCSG
od PLN 89,81*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPB60R080P7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPB60R080P7ATMA1
od PLN 9,489*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPI60R125CP tranzystor 600 V (1 Oferta)
Infineon
IPI60R125CPXKSA1
od PLN 12,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,4A; 30W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polary...
ST Microelectronics
STP9NK60ZFP
od PLN 3,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 23A; 147W; ISOPLUS220™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS220™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 147W Polaryzacja: unip...
IXYS
IXKC23N60C5
od PLN 33,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 23A; 129W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 129W P...
Infineon
IPP60R080P7
od PLN 14,05*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 26A; 460W; TO268; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W ...
IXYS
IXTT26N60P
od PLN 25,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W P...
Infineon
IPW60R031CFD7
od PLN 42,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 624W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT34F60B
od PLN 54,39*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 23A; 29W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 29W Polar...
Infineon
IPA60R080P7
od PLN 11,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 26A; 460W; TO3P; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W P...
IXYS
IXTQ26N60P
od PLN 12,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 40mA; Idm: 0,16A; 0,61W (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SC59 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 40mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 190Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,61W Polaryz...
Diodes
BSS127SSN-7
od PLN 0,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 24A; 325W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 325W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6025BLLG
od PLN 60,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 23A; 417W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB42S60L
od PLN 13,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 28A; 695W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 695W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFH28N60P3
od PLN 18,15*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   721   722   723   724   725   726   727   728   729   730   731   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.