Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 895 ofert spośród 4 927 281 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21,6A; 313W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,118Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 31...
Infineon
SPW35N60CFD
od PLN 31,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 624W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT34F60B
od PLN 53,37*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2,6A; 104W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD4N60
od PLN 1,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 36A; 320W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,105Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 320W Polaryzacja: un...
IXYS
IXFR64N60P
od PLN 52,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-VSON-4 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,149Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 189W ...
Infineon
IPL60R075CFD7
od PLN 21,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 624W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT34M60S
od PLN 54,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; 34W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 34W Pol...
Infineon
IPA60R165CPXKSA1
od PLN 9,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 24A; 325W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 325W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6025BLLG
od PLN 59,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 20,2A; 151W; PG-TO247-3 (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 20,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 151...
Infineon
IPW60R190E6FKSA1
od PLN 12,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 37,9A; 278W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 37,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W...
Infineon
IPB60R099C6ATMA1
od PLN 15,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; Idm: 84A; 300W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6029BFLLG
od PLN 53,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 24A; 400W; TO220AB; 140ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,175Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40...
IXYS
IXFP24N60X
od PLN 13,61*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPA60R190P6XKSA1
od PLN 6,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; 417W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFR44N60
od PLN 83,98*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP60R099C7XKSA1
od PLN 10,82*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   721   722   723   724   725   726   727   728   729   730   731   ..   1393   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.