Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 895 ofert spośród 4 927 281 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3 (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 192W...
Infineon
IPW60R165CPFKSA1
od PLN 17,201*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 189mA; 3,3W; SOT223 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 189mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,3W Polaryz...
ST Microelectronics
STN1NK60Z
od PLN 0,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3,8A; 110W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polary...
ST Microelectronics
STP6NK60ZFP
od PLN 2,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2,7A; 104W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT4N60
od PLN 1,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; 278W; D2PAK,TO263 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W Polaryzacja: un...
Vishay
SIHB33N60E-GE3
od PLN 13,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 127ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 320...
IXYS
IXFP18N60X
od PLN 20,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30,8A; 240W; DFN; 8x8mm (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: DFN Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 109mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 240W Polaryzacja: unipol...
Toshiba
TK31V60W5,LVQ(S
od PLN 11,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 20,2A; 151W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 20,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 151...
Infineon
IPP60R190E6XKSA1
od PLN 6,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 22A; 205W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 205W Polaryzacja: unip...
onsemi
FCP22N60N
od PLN 12,88*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 219W...
Infineon
IPP60R125C6XKSA1
od PLN 19,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 20,2A; 151W; PG-TO247-3 (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 20,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 151...
Infineon
IPW60R190C6FKSA1
od PLN 12,013*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 22A; 500W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 390mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFQ22N60P3
od PLN 21,71*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPL60R210P6AUMA1
od PLN 5,342*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 310W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 310W Polaryzacja: unipol...
IXYS
IXKH30N60C5
od PLN 13,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 20,2A; 34W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 20,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 34W Po...
Infineon
IPA60R190E6XKSA1
od PLN 10,22*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   721   722   723   724   725   726   727   728   729   730   731   ..   1393   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.