 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 3,98*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKW25N120CS7XKSA1 |
od PLN 16,71*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 160A Prąd kolektora w impulsie: 860A Czas załączania: 93ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 50,49*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 270A, D2PAK (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFS3006TRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=270 A, Czas narastania=182 ns, Czas opadania=189 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=118 ns, Czas opóźnienia włączenia=16 ns, Napięcie bramk... |
|
od PLN 8,385*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,762*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263-2 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 56ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 18,57*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKWH20N65WR6XKSA1 |
od PLN 206,25*
za 30 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 180A Czas załączania: 81ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 25,74*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,47*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65DGVC11 |
od PLN 21,032*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 140A Czas załączania: 36n... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GP120BG |
od PLN 64,16*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 280mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002, Ciągły prąd drenu (Id)=280 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rez... |
|
od PLN 0,132*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 7 EasyPIM kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = EasyPIM Typ kanału = N Liczba s... |
Infineon FP25R12W2T7B11BPSA1 |
od PLN 2 763,80505*
za 15 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 136A Czas załączania: 65ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 15,38*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 280mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002A, Ciągły prąd drenu (Id)=280 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Re... |
|
od PLN 0,0915*
za szt. |
|
|
