 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 20 A Uce 600 V SDIP2B Szereg 0.08 mW (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 600V Maksymalna strata mocy = 0.08 mW Typ opakowania = SDIP2B Liczba styków =... |
ST Microelectronics STGIB15CH60TS-LZ |
od PLN 40,25*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 61ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 32,51*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 11,19*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 781 W Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu ... |
|
od PLN 1 082,99*
za 10 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 26ns C... |
Microchip Technology APT25GR120S |
od PLN 27,88*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 20A, DPAK (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=DI020N06D1, Ciągły prąd drenu (Id)=20 A, Czas narastania=6 ns, Czas opadania=3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=17 ns, Czas opóźnienia włączenia=6 ns, Napięcie bramka-źródło=20... |
|
od PLN 1,22*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STGWA25IH135DF2 |
od PLN 10,18*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 80A; 830W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 360A Czas załączania: 134ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 31,02*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 20A, TO-252 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=NTD5867NLT4G, Ciągły prąd drenu (Id)=20 A, Czas narastania=12.6 ns, Czas opadania=2.4 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=18.2 ns, Czas opóźnienia włączenia=6.5 ns, Napięcie bramk... |
|
od PLN 1,594*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65GVC11 |
od PLN 6 528,483*
za 450 szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 210A, D2PAK (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFS3206TRRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=210 A, Czas narastania=82 ns, Czas opadania=83 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=55 ns, Czas opóźnienia włączenia=19 ns, Napięcie bramka-ź... |
|
od PLN 3,249*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKWH20N65WR6XKSA1 |
od PLN 206,6202*
za 30 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 265A Czas załączania: 94ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 19,14*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 26ns... |
Microchip Technology APT25GR120B |
od PLN 23,43*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 230mA, SOT-23 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS159NH6906XTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=230 mA, Czas narastania=2.9 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=9 ns, Czas opóźnienia włączenia=3.1 ns, Napięcie bram... |
Infineon BSS159NH6906XTSA1 |
od PLN 0,655*
za szt. |
|
|
