 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 230mA, SOT-23 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS159NH6906XTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=230 mA, Czas narastania=2.9 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=9 ns, Czas opóźnienia włączenia=3.1 ns, Napięcie bram... |
Infineon BSS159NH6906XTSA1 |
od PLN 0,705*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKWH20N65WR6XKSA1 |
od PLN 7,342*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1,63kW; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 140A Prąd kolektora w impulsie: 840A Czas załączania: 122ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 86,78*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 230mA, SOT-23 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138IXTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=230 mA, Czas narastania=3 ns, Czas opadania=8.2 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=6.7 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.3 ns, Napięcie bramka-... |
|
od PLN 0,135*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 200 A Uce 650 V 2 ECOPACK kanał: NPN 714 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 714 W Typ opakowania = ECOPACK Typ montażu = M... |
ST Microelectronics STGSB200M65DF2AG |
od PLN 55,301*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 80A; 830W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 360A Czas załączania: 134ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 30,90*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSS159NH6327XTSA2 |
od PLN 0,514*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS200R12N3T7BPSA1 |
od PLN 671,765*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,6kV; 25A; 300W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,6kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 283ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 43,84*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 230mA, TO-92 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=VN2222LL-G, Ciągły prąd drenu (Id)=230 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V,... |
Microchip Technology VN2222LL-G |
od PLN 1,732*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,123*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 75A; 781W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 68ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GF120B2RG |
od PLN 86,03*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,98*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS200R12N3T7BPSA1 |
od PLN 653,265*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 48ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 28,15*
za szt. |
|
|
