Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) ROHM Field stop trench IGBT używany głównie jako grzejnika dla motoryzacji. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzymania zwarcia 10 μs Zgodność z ... |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2HRC11 |
od PLN 17,589*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 10A; 110W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 0,3µs Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 23,71*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 280mA, TO-92 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TN2106N3-G, Ciągły prąd drenu (Id)=280 mA, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=9 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie bramka-źródło=2... |
Microchip Technology TN2106N3-G |
od PLN 1,65*
za szt. |
| |
IGBT Ic 220 A Uce 950 V 6 EasyPACK kanał: N 20 mW (1 Oferta) 3-pozioniowy moduł IGBT Infineon 400A charakteryzuje się bardzo niskimi stratami przełączania i miękkim wyłączaniem. Spełnia odpowiednie normy 1500V falownika PV. Zapewnia wystarczającą odległość p... |
Infineon F3L400R10W3S7FB11BPSA1 |
PLN 605,183*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 110A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 71ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 32,20*
za szt. |
| |
|
Infineon BSS606NH6327XTSA1 |
od PLN 0,681*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65DGVC11 |
od PLN 21,092*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 65,53*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,132*
za szt. |
| |
IGBT Ic 200 A Uce 650 V 30 TO-247-4LD 268 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 268 W Typ opakowania = TO-247-4LD |
|
od PLN 9,787*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 16A; 190W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 90ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 36,23*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 300mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=PMBF170, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=3 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rez... |
|
od PLN 0,31*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 12,203*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 300mA, SOT-23 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=XP262N7002TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP262N7002TR-G |
od PLN 0,18*
za szt. |
| |
IGBT Ic 23 A Uce 600 V TO-220AB Pojedynczy kanał: N (1 Oferta) Pojedynczy IGBT do 20A, Infineon. Zoptymalizowane układy IGBT przeznaczone do zastosowań w średnich częstotliwościach z szybką reakcją, zapewniające użytkownikowi najwyższą dostępną wydajność. Urzą... |
|
od PLN 4,38*
za szt. |
| |
|
