Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 902 ofert spośród 4 919 109 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 20 A Uce 1200 V PG-TO247-3 288 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 25V Maksymalna strata mocy = 288 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IHW20N120R5XKSA1
od PLN 8,661*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 56ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXYH50N65C3H1
od PLN 27,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 200mA, TO-92 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=2N7000, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=40 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rez...
Diotec
2N7000
od PLN 0,29*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP200R12N3T7B11BPSA1
od PLN 828,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 9A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania: ...
IXYS
IXYP20N65C3D1M
od PLN 8,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 200mA, TO-92 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=2N7000, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rez...
onsemi
2N7000
od PLN 0,456*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 40A; 500W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 47ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GR120B2D30
od PLN 39,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 200mA, TO-92 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=2N7000-D26Z, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=-999, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, ...
onsemi
2N7000-D26Z
od PLN 0,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 30A; 357W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 31ns C...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT33GF120B2RDQ2G
od PLN 73,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 200mA, TO-92 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=2N7000-G, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, R...
Microchip Technology
2N7000-G
od PLN 1,36*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 600 V 1 TO-247 192 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 192 W Typ opakowania = TO-247
Bourns
BIDW20N60T
PLN 7,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263-2 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 56ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXYA50N65C3
od PLN 18,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 200mA, TO-92 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=2N7000TA, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=10 ns, Czas opadania=10 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło...
onsemi
2N7000TA
od PLN 0,331*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż w ...
Infineon
FP200R12N3T7BPSA1
PLN 555,048*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 60ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXYH24N90C3D1
od PLN 28,61*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   361   362   363   364   365   366   367   368   369   370   371   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.