Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
IGBT Ic 90 A Uce 650 V PG-TO247-3 395 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 90 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 395 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczb... |
|
od PLN 18,287*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,328*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 284,37*
za 3 000 szt. |
| |
|
|
od PLN 80,43*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,354*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 320,91*
za 25 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 37ns... |
|
od PLN 10,85*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 25V, 8.5A, PQFN (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFHS8242TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=8.5 A, Czas narastania=19 ns, Czas opadania=5.3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=5.4 ns, Czas opóźnienia włączenia=6.5 ns, Napięcie bramk... |
|
od PLN 0,52*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor EMB53T2R |
od PLN 1,045*
za 5 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 24A; 250W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 230A Czas załączania: 190ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 86,75*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 300V, 120A, TO-264 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK120N30P3, Ciągły prąd drenu (Id)=120 A, Czas narastania=13 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=60 ns, Czas opóźnienia włączenia=26 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 46,22*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor DTA114YU3HZGT106 |
od PLN 0,525*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 300V, 150A, ISOPLUS247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFX150N30P3, Ciągły prąd drenu (Id)=150 A, Czas narastania=30 ns, Czas opadania=12 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=74 ns, Czas opóźnienia włączenia=44 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 59,53*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor EMD6T2R |
od PLN 0,188*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; D3PAK (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 36A Czas załączania: 104ns Czas wyłączania: 7... |
|
od PLN 29,40*
za szt. |
| |
|
