Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 24A; 250W; TO268


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 24A; 250W; TO268
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 24A; 250W; TO268
Nr artykułu:
     8WVXN-IXBT24N170
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     IXBT24N170
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor SMD
Producent: IXYS
Montaż: SMD
Obudowa: TO268
Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 24A
Prąd kolektora w impulsie: 230A
Czas załączania: 190ns
Czas wyłączania: 1285ns
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 250W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: wysokonapięciowa
Ładunek bramki: 0,14µC
Technologia: BiMOSFET™
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 86,75*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 124,06*
PLN 152,59
za szt.
od 2 szt.
PLN 120,28*
PLN 147,94
za szt.
od 3 szt.
PLN 108,02*
PLN 132,86
za szt.
od 5 szt.
PLN 104,63*
PLN 128,69
za szt.
od 10 szt.
PLN 98,48*
PLN 121,13
za szt.
od 20 szt.
PLN 98,34*
PLN 120,96
za szt.
od 3000 szt.
PLN 86,75*
PLN 106,70
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.