Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 178 ofert spośród 4 838 886 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 63ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXBH10N170
od PLN 30,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 10A, PQFN (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRFHM8363TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=94 ns, Czas opadania=33 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źr...
Infineon
IRFHM8363TRPBF
od PLN 3,36*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP/PNP SOT-563 -50 V Montaż powierzchniowy 100 mA EMB52T2R (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP/PNP Maksymalny prąd DC kolektora = 100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = SOT-563 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu ...
ROHM Semiconductor
EMB52T2R
od PLN 1,045*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 3kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 130A Czas załączania: 64ns Czas wyłączania: ...
IXYS
IXBH20N300
od PLN 133,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 13A, SO-8 (4 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRF7413ZTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=13 A, Czas narastania=6.3 ns, Czas opadania=3.8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=11 ns, Czas opóźnienia włączenia=8.7 ns, Napięcie bramka-...
Infineon
IRF7413ZTRPBF
od PLN 1,264*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP/PNP EMY6 -50 V Montaż powierzchniowy 100 mA EMB60T2R (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP/PNP Maksymalny prąd DC kolektora = 100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = EMY6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu DC ...
ROHM Semiconductor
EMB60T2R
od PLN 0,285*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 16A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 220ns Czas wyłączani...
IXYS
IXBH16N170
od PLN 43,30*
za szt.
 
 szt.
Infineon IRF7458 tranzystor 20 V (3 ofert)
Infineon
IRF7458TRPBF
od PLN 1,98*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor Układ FET Montaż powierzchniowy NTHD3100CT1G (2 ofert) 
Wzmacniacz Power MOSFET Complementary, 20 V, +3,9 A/-4,4 A ChipFET™Uzupełniający MOSFET N-Channel i P-Channel Mały rozmiar, pakiet 40% mniejszy niż TSOP-6 Bezwyprowadzeniowa obudowa SMD zapewnia do...
onsemi
NTHD3100CT1G
od PLN 1,561*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Napięcie kolektor-emiter: 3kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 652ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXBT42N300HV
od PLN 181,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 14A, SO-8 (4 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRF8714TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=14 A, Czas narastania=9.9 ns, Czas opadania=5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=11 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źród...
Infineon
IRF8714TRPBF
od PLN 0,77*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP SOT-346 -50 V Montaż powierzchniowy -100 mA DTA114TKAT146 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = SOT-346 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu DC ...
ROHM Semiconductor
DTA114TKAT146
od PLN 0,198*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 43ns Czas wyłączania: 3...
IXYS
IXBT16N170A
od PLN 46,82*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PQFN Montaż powierzchniowy FDMC8462 (1 Oferta) 
MOSFET kanału N jest produkowany przy użyciu Advanced Power trench®, specjalnie zaprojektowanego, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu i zachować najwyższą wydajność przełączania.Maks. RDS(...
onsemi
FDMC8462
od PLN 3,959*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 22A; 195W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 22A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas załączania: 19ns C...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT15GN120SDQ1G
od PLN 33,22*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   321   322   323   324   325   326   327   328   329   330   331   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.