Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
|
od PLN 5,23*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 200mA, SOT-523 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP231N02015R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=7 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP231N02015R-G |
od PLN 0,44*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor DTA143TKAT146 |
od PLN 0,128*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 20A; 180W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 61ns Czas wyłączania: 7... |
|
od PLN 15,33*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 8,03*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 200mA, SOT-723 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP231N02017R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=7 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP231N02017R-G |
od PLN 0,40*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor EMB11T2R |
od PLN 0,187*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 47,32*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 50A, TO-220 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=RFP50N06, Ciągły prąd drenu (Id)=50 A, Czas narastania=55 ns, Czas opadania=13 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=37 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źródło=2... |
|
od PLN 4,695*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 6,85*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,666*
za szt. |
| |
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247 kanał: N 395 W (2 ofert) Technologia Infineon TRENCHSTOP IGBT5 na nowo definiuje najlepszy w swojej klasie protokół IGBT, co prowadzi do obniżenia temperatury połączeń i obudowy, co prowadzi do większej niezawodności urząd... |
|
od PLN 14,001*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,686*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 214,62*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 2,71*
za szt. |
| |
|
