| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 39JYS-30400209 Nr producenta: XP231N02015R-G EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor MOSFET, Typ=XP231N02015R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=7 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=30 V, Rezystancja włączenia (Rds(on))=5 Ω, Rozpraszanie mocy (Pd)=350 mW, Styki=3, Temperatura robocza, maks.=150 °C, Temperatura robocza, min.=-55 °C, Temperatura rozpływu maks.=-999, Biegunowość tranzystora=Kanał N, Opakowanie=Taśma na szpuli, Typ mocowania=SMD, Typ obudowy=SOT-523 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | MERCATEO_WA_NR: | 8542900000 | Kraj pochodzenia: | JP | Numer celny: | 8542900000 | Wysokość: | 2 mm | Waga netto: | 0,010 g | Głębokość: | 8 mm | Waga brutto: | 0,01 g | Szerokość: | 5 mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |