Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
| | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
|
od PLN 0,549* za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor DTB523YE3TL |
od PLN 2,015* za 5 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 24A; 200W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 96A Czas załączania: 54ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 32,95* za szt. |
| |
|
|
od PLN 2,51* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 3.4A, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLML6346TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=3.4 A, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=4.9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=3.3 ns, Napięcie bramka-... |
|
od PLN 0,42* za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,366* za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; D3PAK (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 36A Czas załączania: 104ns Czas wyłączania: 7... |
|
od PLN 29,21* za szt. |
| |
|
|
od PLN 4,24* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 3.5A, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TSM2306CX RFG, Ciągły prąd drenu (Id)=3.5 A, Czas narastania=19 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=13 ns, Czas opóźnienia włączenia=4.2 ns, Napięcie bramka-źr... |
Taiwan Semiconductor TSM2306CX RFG |
od PLN 1,07* za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,0655* za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,6kV; 16A; 250W (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Napięcie kolektor-emiter: 1,6kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 260ns C... |
|
od PLN 78,75* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 300mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP232N0301TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=10 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-ź... |
Torex Semiconductor XP232N0301TR-G |
od PLN 0,82* za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor EMD6T2R |
od PLN 0,186* za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 2A; 32W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2A Prąd kolektora w impulsie: 13A Czas załączania: 310ns Czas wyłączania: 2... |
|
od PLN 63,53* za szt. |
| |
|
|
od PLN 2,452* za szt. |
| |
|