Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 943 ofert spośród 4 926 368 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 26A; 460W; TO268; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W ...
IXYS
IXTT26N60P
od PLN 24,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 24A; Idm: 96A; 325W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 325W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6025BFLLG
od PLN 58,66*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-247-4 650 V 0.05 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.05...
Infineon
IMZA65R039M1HXKSA1
od PLN 39,708*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 145ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 155mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500...
IXYS
IXFP30N60X
od PLN 15,29*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPA65R1K5CEXKSA1
od PLN 96,05*
za 50 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 26A; 460W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFT26N60P
od PLN 22,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 26A; 460W; TO3P; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W P...
IXYS
IXTQ26N60P
od PLN 11,99*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A SOIC 55 V SMD 0.035 Ω (1 Oferta) 
Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET, zwanych również tranzystorem MOSFET, oznacza „tranzystory polowe z tlenkiem metalu półprzewodników”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi st...
Infineon
BSO604NS2XUMA1
od PLN 5,375*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 24mA; 500mW; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 24mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 800Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,5W Polary...
Taiwan Semiconductor
TSM126CX RFG
od PLN 0,51*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-252 120 V SMD 0.015 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 120 V Seria = OptiMOS™-T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
IPD50N12S3L15ATMA1
od PLN 5,766*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 145ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 155mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W ...
IXYS
IXFA30N60X
od PLN 15,85*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5,2 A TSSOP-8 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = TSSOP-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SI6968BEDQ-T1-E3
od PLN 1,617*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPZ60R040C7XKSA1
od PLN 32,431*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 28A; 695W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 695W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFH28N60P3
od PLN 18,16*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-252 6 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 6 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
ROHM Semiconductor
RD3P07BBHTL1
od PLN 3,807*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   881   882   883   884   885   886   887   888   889   890   891   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.