![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
|
|
od PLN 24,80* za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT6025BFLLG |
od PLN 58,66* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-247-4 650 V 0.05 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.05... |
Infineon IMZA65R039M1HXKSA1 |
od PLN 39,708* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 15,29* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 96,05* za 50 szt. |
|
|
|
|
od PLN 22,09* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 11,99* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 5 A SOIC 55 V SMD 0.035 Ω (1 Oferta) Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET, zwanych również tranzystorem MOSFET, oznacza „tranzystory polowe z tlenkiem metalu półprzewodników”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi st... |
|
od PLN 5,375* za szt. |
|
|
|
Taiwan Semiconductor TSM126CX RFG |
od PLN 0,51* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-252 120 V SMD 0.015 O. (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 120 V Seria = OptiMOS™-T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł... |
Infineon IPD50N12S3L15ATMA1 |
od PLN 5,766* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 15,85* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 5,2 A TSSOP-8 20 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = TSSOP-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
|
od PLN 1,617* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 32,431* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 18,16* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-252 6 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 6 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L... |
ROHM Semiconductor RD3P07BBHTL1 |
od PLN 3,807* za szt. |
|
|