MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 885/1 532)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 24A; Idm: 96A; 325W; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 325W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6025BFLLG

od PLN 58,60*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 5,4 A SOT-23 30 V SMD 0.3 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = DMN3069L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...

Diodes

DMN3069L-7

PLN 0,212*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 164W; PG-TO220-3 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 164W P...

Infineon

IPP60R060P7

od PLN 22,69*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 50 A TISON-8 25 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = TISON-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 2

Infineon

BSG0810NDIATMA1

od PLN 8,119*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3,9A; Idm: 25A; 130W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polaryzacja: u...

Vishay

IRFBC40SPBF

od PLN 4,99*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 5,63 A SC-70W-6L 30 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,63 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SC-70W-6L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerz...

Vishay

SQA300CEJW-T1_GE3

PLN 1,01*
za szt.

Infineon IPW60R070P6 tranzystor 600 V (2 ofert)

Infineon

IPW60R070P6XKSA1

od PLN 17,789*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 50 A QDPAK 600 V SMD 0.01 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = IPDQ60R010S7A Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 22 Maksymalna rezystancja dren-ź...

Infineon

IPDQ60R010S7AXTMA1

od PLN 73,139*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 24mA; 500mW; SOT23 (1 Oferta)

Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 24mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 800Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,5W Polary...

Taiwan Semiconductor

TSM126CX RFG

od PLN 0,51*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 219W...

Infineon

IPW60R125C6FKSA1

od PLN 19,14*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 50 A TO-220 600 V 40 MO (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...

Infineon

IPP60R040C7XKSA1

od PLN 29,481*
za szt.

Infineon IPZA60R060P7 tranzystor 650 V (2 ofert)

Infineon

IPZA60R060P7XKSA1

od PLN 17,354*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 5,7 A ThinPAK 5 x 6 700 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = ThinPAK 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na ...

Infineon

IPLK70R900P7ATMA1

PLN 1,212*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™ (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS264™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polaryzacja: unip...

IXYS

IXFL82N60P

od PLN 92,39*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 50 A SOT669 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Nexperia

BUK9Y22-60ELX

od PLN 4,808*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 881 882 883 884 885 886 887 888 889 890 891 .. 1532 Dalej

MOSFET (22 967 ofert spośród 4 907 907 artykułów)

"MOSFET"