Podgląd | "MOSFET"Pojęcia nadrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Sterownik MOSFET, Podwójna / Odwracająca, 4.5 ... 30V, 1.5A, SOIC (2 ofert) Sterownik MOSFET, Typ=IX4426NTR, Czas narastania=30 ns, Czas opadania=30 ns, Długość=5 mm, Maks. napięcie zasilania=30 V, Min. napięcie zasilania=4.5 V, Prąd wyjściowy=1.5 A, Styki=8, Szerokość=4 m... |
|
od PLN 2,155*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 500mA, TO-92 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BS170-D75Z, Ciągły prąd drenu (Id)=500 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=-999, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, R... |
|
od PLN 0,376*
za szt. |
| |
MOSFET 107 A PDFN56 60 V 4.8 m.Ω (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 107 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = TSM025 Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 4.8 m.Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne nap... |
Taiwan Semiconductor TSM048NB06LCR |
od PLN 7,48*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 5,88*
za szt. |
| |
Sterownik MOSFET, Podwójna / Odwracająca, 4.5 ... 35V, 2A, DFN (2 ofert) Sterownik MOSFET, Typ=IXDI602D2TR, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=15 ns, Długość=3 mm, Maks. napięcie zasilania=35 V, Min. napięcie zasilania=4.5 V, Prąd wyjściowy=2 A, Styki=8, Szerokość=3 m... |
|
od PLN 3,033*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 500mA, TO-92 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BS170-D27Z, Ciągły prąd drenu (Id)=500 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=-999, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, R... |
|
od PLN 0,307*
za szt. |
| |
MOSFET 11 A PG-TO220 650 V SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 11 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PG-TO220 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
|
od PLN 10,204*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 14 758,85*
za 2 500 szt. |
| |
Sterownik MOSFET, Podwójna / Odwracająca, 4.5 ... 35V, 2A, SOIC (2 ofert) Sterownik MOSFET, Typ=IXDI602SIATR, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=15 ns, Długość=5 mm, Maks. napięcie zasilania=35 V, Min. napięcie zasilania=4.5 V, Prąd wyjściowy=2 A, Styki=8, Szerokość=4 ... |
|
od PLN 2,704*
za szt. |
| |
MOSFET 1200 V 50 mW 4,6 milioma (1 Oferta) Podstawa o dużej gęstości mocy Działanie w wysokiej temperaturze (175°C) Niska indukcyjność (6.7 nH) Implementuje technologię MOSFET zoptymalizowaną pod kątem przewodności Układ terminal upraszcza ... |
|
od PLN 3 680,744*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 4,325*
za szt. |
| |
Sterownik MOSFET, Podwójna / Odwracająca, 4.5 ... 35V, 2A, SOIC (2 ofert) Sterownik MOSFET, Typ=IXDI602SITR, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=15 ns, Długość=5 mm, Maks. napięcie zasilania=35 V, Min. napięcie zasilania=4.5 V, Prąd wyjściowy=2 A, Styki=8, Szerokość=4 m... |
|
od PLN 4,682*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 3,78*
za szt. |
| |
Sterownik MOSFET, Podwójna / Odwracająca, 4.5 ... 35V, 4A, SOIC (2 ofert) Sterownik MOSFET, Typ=IXDI604SIATR, Czas narastania=16 ns, Czas opadania=14 ns, Długość=5 mm, Maks. napięcie zasilania=35 V, Min. napięcie zasilania=4.5 V, Prąd wyjściowy=4 A, Styki=8, Szerokość=4 ... |
|
od PLN 3,917*
za szt. |
| |
MOSFET ON Semiconductor FCP11N60F N/A N/A FCP11N60F (1 Oferta) MOSFET ON Semiconductor | FCP11N60F Dane techniczne: C(ISS): 1490 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 11 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: OnS · Maksymalna temperatura robocza: +150 °C... |
|
od PLN 9,43*
za szt. |
| |
|
