| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2149038 Nr producenta: IPD50N12S3L15ATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 120 V Seria = OptiMOS™-T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.015 O. Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.4V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 50 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 120 V | Typ opakowania: | TO-252 | Seria: | OptiMOS™-T | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.015 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.4V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2149038, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPD50N12S3L15ATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |